Zobacz książki o podobnej tematyce

Powiadomienie o dostępności

Więcej informacji o The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches.

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 173 punkty

Opis

This work is addressing device reliability and dynamic switching behavior as main obstacles for a future market launch of AlGaN/GaN-on-Si based power switches. The work is comparing different bias conditions, device designs, process parameter, and epitaxial properties. Charge trapping effects are localized and identified which deteriorate device parameter. Countermeasures are implemented to obtain good system performance and device reliability.

Szczegóły książki

Kategoria Książki po angielsku Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Pełny tytuł: The role of charge trapping in AlGaN/GaN-on-Si HEMT based power switches.
• Podtytuł: Dissertationsschrift
• Autor: Matthias Wespel, Joachim Wagner, Fraunhofer IAF
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 185
• EAN: 9783839611982
• ISBN: 3839611989
• ID: 16506444
• Wydawca: Fraunhofer Verlag
• Waga: 279 g
• Wymiary: 210 × 148 × 12 mm
• Data wydania: 20. June 2017

Ulubione w innej kategorii

---

---

---