Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o Structural properties of luminescent nitride semiconductors

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 161 punkty

Opis

This book presents the results of structural studies of InGaN, AlGaN, InAlN, and rare-earth doped (Tm, Er and Eu) GaN by Extended X-ray Absorption Fine Structure; optical characterisation of RE-doped GaN by cathodoluminescence, photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopies. First attempts to identify the lattice location of emitting centres in nitride semiconductors using X-ray Excited Optical Luminescence for EXAFS detection are also presented.

Szczegóły książki

• Pełny tytuł: Structural properties of luminescent nitride semiconductors
• Podtytuł: This book presents the results of structural and spectroscopic studies of luminescent nitride semiconductors
• Autor: Vyacheslav Kachkanov
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 176
• EAN: 9783838323336
• ID: 06981677
• Wydawca: LAP Lambert Academic Publishing
• Waga: 280 g
• Wymiary: 220 × 150 × 11 mm
• Rok wydania: 2010

Ulubione w innej kategorii

---

---

---