Zobacz książki o podobnej tematyce

Więcej informacji o Emerging Resistive Switching Memories

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 154 punkty

Opis

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.§

Szczegóły książki

Kategoria Książki po angielsku Technology, engineering, agriculture Electronics & communications engineering Electronics engineering

• Pełny tytuł: Emerging Resistive Switching Memories
• Autor: Jianyong Ouyang
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 93
• EAN: 9783319315706
• ISBN: 3319315706
• ID: 02942824
• Wydawca: Springer International Publishing AG
• Waga: 1708 g
• Wymiary: 235 × 155 × 7 mm
• Data wydania: 05. July 2016

Ulubione w innej kategorii

---

---

---