Zobacz książki o podobnej tematyce

Powiadomienie o dostępności

Więcej informacji o Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors.

• Dane szczegółowe
• Opis
• Ulubione w innej kategorii

Za ten zakup dostaniesz 121 punkty

Opis

Most of our modern lifestyle is based on an ever expanding communication technology marked by higher frequencies and bandwidth. Nowadays used devices reach material limits and GaN possess intrinsic advantages to replace current technology. To serve as a considerable alternative, the reliability of GaN devices is a key factor. This thesis addresses the main physical degradation processes of state-of-the-art devices.

Szczegóły książki

• Pełny tytuł: Reliability studies of GaN High Electron Mobility Transistors.
• Autor: Markus Cäsar, Oliver Ambacher
• Język: Angielski
• Oprawa: Miękka
• Liczba stron: 172
• EAN: 9783839608975
• ISBN: 383960897X
• ID: 09482174
• Wydawca: Fraunhofer Verlag
• Waga: 261 g
• Wymiary: 210 × 144 × 15 mm
• Data wydania: 29. June 2015

Ulubione w innej kategorii

---

---

---