Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon / Najlacnejšie knihy
Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon

Kod: 01395239

Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon

Autor R. Jones

While the discovery that heating oxygen-rich silicon to around 450°C produces electrically active defects dates back to 1954, the details of the processes by which the donors and other defects are generated remain obscure today. T ... więcej

89.76

Zwykle: 89.79 €

Oszczędzasz 0.02 €

Dostępność:

50 % szansaOtrzymaliśmy informację, że książka może być ponownie dostępna. Na podstawie państwa zamówienia, postaramy się książkę sprowadzić w terminie do 6 tygodni. Gwarancja pełnego zwrotu pieniędzy, jeśli książka nie zostanie zabezpieczona.
Przeszukamy cały świat

Powiadomienie o dostępności

Dodaj do schowka

Zobacz książki o podobnej tematyce

Bon podarunkowy: Radość gwarantowana

Wzór bonu podarunkowegoDowiedz się więcej

Powiadomienie o dostępności

Powiadomienie o dostępności


Akceptacja - Zgłaszając nam chęć otrzymania powiadomienia, akceptujesz warunki Regulaminu

Będziemy sprawdzać dostępność książki za Ciebie

Wpisz swój adres e-mail, aby otrzymać od nas powiadomienie,
gdy książka będzie dostępna. Proste, prawda?

Więcej informacji o Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon

Za ten zakup dostaniesz 225 punkty

Opis

While the discovery that heating oxygen-rich silicon to around 450°C produces electrically active defects dates back to 1954, the details of the processes by which the donors and other defects are generated remain obscure today. The fact that there is only one oxygen atom in about ten thousand silicon atoms means that it is difficult to devise experiments to see what happens during the early stages of oxygen precipitation when complexes of two, three or four oxygen atoms are formed. But important new findings are emerging from the careful monitoring of the changes in IR lattice absorption spectra over long time periods, observation of the growth of new bands that are correlated with electronic IR data, and high resolution ENDOR studies. Better samples are also becoming available for study, and great advances have been made in modelling techniques. §The emphasis of the present book is on the fundamental issues of oxygen diffusion, the properties of small oxygen aggregates, and the effects of H, N, and C on oxygen precipitation. With extended reviews by G.D. Watkins, R.C. Newman, J.L. Lindstrom, C.A.J. Amerlaan, M. Spaeth, V. Merkevich, J. Weber, R. Jones, P. Deak, S.K. Estreicher, S.T. Pantelides, M. Suezawa, U. Gosele, K. Sumino, B. Pajot and E.C. Lightowlers in addition to 26 contributed papers, the proceedings contain the latest results on the vibrational spectroscopy of thermal donors, the enhanced diffusion of oxygen dimers, magnetic resonance, theoretical modelling, and the influence of H on oxygen diffusion. §Audience: All researchers working in the field of silicon technology, especially those dealing with defects and defect control in Czochralski silicon.

Szczegóły książki

Kategoria Książki po angielsku Mathematics & science Physics Materials / States of matter

89.76



Osobní odběr Bratislava a 2642 dalších

Copyright ©2008-24 najlacnejsie-knihy.sk Wszelkie prawa zastrzeżonePrywatnieCookies


Konto: Logowanie
Všetky knihy sveta na jednom mieste. Navyše za skvelé ceny.

Nákupní košík ( prázdný )

Nakupte za 59,99 € a
máte doručení zdarma.

Twoja lokalizacja: