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Book synopsis

La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de maničre précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires ŕ hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'ętre exposées ŕ différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomčnes est indispensable. Un modčle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modčle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modčles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modčle et extraire ses paramčtres a été mis en oeuvre. Dans une deuxičme partie, la dépendance en température des différents paramčtres qui peuvent intervenir dans un modčle électrique compact et en particulier dans le modčle HICUM a été étudiée.

Book details

Book category Books in French LITTÉRATURE GÉNÉRALE Essais littéraires

• Full title: Contribution a la Modelisation Des Tbh Si/Sige En Temperature
• Author: Hassene Mnif, Thomas Zimmer
• Language: French
• Binding: Paperback
• Number of pages: 204
• EAN: 9786131500848
• ISBN: 6131500843
• ID: 06955761
• Publisher: Omniscriptum
• Weight: 304 g
• Dimensions: 229 × 152 × 12 mm
• Date of publishing: 28. February 2018

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